【MCC】製造技術

世界が注目される次世代パワー半導体「窒化ガリウム（GaN）」の「量産化」をリードしませんか？

【職務内容】
次世代パワー半導体GaNは、EVやデータセンターの省エネ・小型化に不可欠なキーデバイスです。
当社は高品質かつ低コストな大口径GaN基板の安定供給を目指しています。
本ポジションはGaNの結晶成長プロセスの改善・生産技術の確立をご担当いただきます。
具体的には以下の通りです。

◇化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計
　世界最先端のHVRP法実機を用い量産化に向けたプロセス条件の確立をリードします。
　最適化条件を検討し、次世代パワー半導体となる高品質なGaN結晶を安定的に生み出すダイナミックな業務です。

◇化合物半導体の結晶成長プロセスのモデリング技術開発、最適化
　製造ラインを動かし実践的なパラメーターチューニングを行いプロセスを最適化します。
　更なる低欠陥・高品質化に向けた仮説検証を繰り返し、量産の壁を突破する醍醐味が味わえます。

◇化合物半導体の評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
　自ら育成した結晶を評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させます。
　専門的な知見を活かした高度な解析が、世界最高水準の製品の品質向上に直結する重要な役割です。

◇化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発
　MOCVD等による薄膜形成の経験も大いに活かせる環境です。
　基板の上に化合物半導体の薄い膜を形成する技術の更なる発展を目指す業務です。
　
【このポジションの魅力】
・世界を変える技術の最前線に立つ
　GaNはEVやデータセンターなど、社会の基盤を支えるパワーエレクトロニクス分野で
　爆発的な普及が見込まれています。省エネ・小型化という社会課題を解決するキーデバイスの根幹を、
　技術で支えることができます。「次世代のインフラ」を社会へ実装する醍醐味を感じられるポジションです。

・世界でも数少ない独自の結晶育成技術に携わる
　高品質・大口径なGaN結晶育成を可能にする独自の「SCAAT法（アモノサーマル法）」は、
　他社にはない当社の強力な武器です。この唯一無二の技術を進化させ、
　世界最高品質の結晶を世に送り出すやりがいがあります。

・「作る技術」をゼロから確立する面白さ
「どうすれば高品質なものを安定して大量に作れるか」という量産の壁に挑むポジションです。
　出来上がったマニュアル通りに動かすのではなく、「どうすればもっと効率よく、高品質に作れるか」を自ら考え、
　量産技術を創り上げていく醍醐味があります。自ら製造条件を調整し、現場を巻き込みながら課題を解決していく、
　あなたのアイデアと経験が、新たな標準プロセスを生み出します。

・幅広い専門性とリーダーシップを発揮する機会
　基礎的な検討から量産化まで、多様な工程・技術に携わる中で、専門性を深めるだけでなく、
　チームを牽引するリーダーシップも磨けます。　　若手育成や国内外の社外委託先との連携を通じて、
　技術とマネジメントの両面でキャリアを加速させることが可能です。

【募集の背景】
当社が手掛ける「窒化ガリウム（GaN）基板」は顧客から極めて高い評価を得られ、実用化フェーズに到達しており事業拡大を加速しています。EV（電気自動車）やデータセンター、通信基地局など、急成長するパワーエレクトロニクス市場からの期待は高く、さらなるシェア拡大に向けた量産化の推進が急務です。この成長フェーズにおいて、中心的役割を担い、当社の技術的優位性をさらに盤石にする仲間を求めています。

【配属部署の紹介】
高速モバイル通信用高周波デバイスなどに欠かせない窒化ガリウム基板の製造及び技術検討に携わり、デジタル社会基盤の構築に貢献できる仕事です。当社はGaN基板の技術を世界的にリードするプレイヤーのひとつで、学会発表や論文も常に注目を浴びています。基礎的な検討から、量産技術検討まで、単結晶を基板に仕上がるまで、多様な工程、技術を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。

【キャリアパス】
本ポジションは、将来の技術リーダー、あるいはマネジメント職へのキャリアパスを想定しています。専門性を極めるだけでなく、チームやプロジェクトを牽引する役割を担い、当社のGaN事業をさらに発展させる中核人材としてご活躍いただけます。

【将来的に従事する可能性のある職務内容】
会社の定める職務

【必須要件】
・下記のいずれかの実務経験（GaNに関する経験は特に歓迎）
　- 半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）の結晶成長技術の開発経験
　- 半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）の製造管理の経験
・下記の能力を保有している方
　- 半導体材料の結晶成長技術の専門知識を有する
　- 製造スタッフとして運転員の管理・指導ができる

【歓迎要件】
・ご経験：化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション
・専攻：物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学
・語学力：英語

■雇用形態：
正社員（雇用契約期間の定めなし・三菱ケミカルグループ(株)のグループ各社への在籍出向あり）
雇用会社：三菱ケミカル株式会社
勤務会社：三菱ケミカル株式会社（もしくは出向先グループ会社）

■試用期間：６ヶ月

■給与・賞与
月給：338,000～563,000円
参考年収：5,813,600～9,683,600円
残業20H/月込参考年収：6,483,440～10,799,360円
※等級・グレードによっては時間外管理監督外となるため残業代の支給はございません。

■勤務時間：定時　8:30～17:15

■時間外労働：あり

■公休日：土曜日、日曜日、国民の祝日、年末年始、その他

■休暇：年次有給休暇、特別休暇（忌引、結婚等）、積立年次有給休暇　等

■福利厚生等：通勤費補助制度、退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険　等

■加入保険：健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険　等

■定年制度：65歳（60歳から変更。2022年4月度より）

■その他：社内公募制度、キャリアチャレンジ制度、勤務地継続制度、勤務地希望制度
※勤務地継続制度は管理職のみ

＜将来的に勤務する可能性のある場所＞
会社の定める事業拠点（テレワークを行う場所を含む）

＜受動禁煙防止策について＞
原則、就業場所をとわず、就業時間内全面禁煙

【MCC】製造技術

世界が注目される次世代パワー半導体「窒化ガリウム（GaN）」の「量産化」をリードしませんか？

【職務内容】
次世代パワー半導体GaNは、EVやデータセンターの省エネ・小型化に不可欠なキーデバイスです。
本ポジションでは、GaN結晶のスライス、研削、研磨などの加工工程を通じたGaN基板製造において、
製造ラインの条件最適化や技術課題の検討・改善をご担当いただきます。
具体的には以下業務を担当いただきます。

◇化合物半導体の加工成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計
　次世代パワー半導体（GaN）ウエハ加工プロセスの確立をリードします。
　加工工程（スライス・研削・研磨）の生産性向上や新規技術の開発、
　生産計画作成・進捗管理などの生産管理、保全管理まで幅広くご担当いただき
　モノづくりの進化をダイナミックに体感できます。

◇化合物半導体の加工プロセスのモデリング技術開発、最適化
　実機を用いた実践的なパラメーター調整により、加工プロセスを最適化します。
　スライシングやCMP研磨などの技術を駆使し、品質向上と大口径化を実現する
　量産技術の最前線でご活躍いただけます。

◇化合物半導体の評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
　加工後の表面状態や形状の評価データとプロセスデータを紐付け、高度な解析を行います。
　導き出した知見を製造条件へダイレクトにフィードバックし、
　世界最高水準のウエハー品質を自らの手で作り上げます。

◇化合物半導体の加工技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発
　SiC等、他材料の精密加工知見も存分に活かせる環境です。国内外の協力会社や最先端の装置メーカーと連携し、
　世界で勝てる次世代GaNウエハーの量産ラインを自らデザイン・構築する醍醐味があります。

【このポジションの魅力】
・世界を変える技術の最前線に立つ
　GaNはEVやデータセンターなど、社会の基盤を支えるパワーエレクトロニクス分野で
　爆発的な普及が見込まれています。省エネ・小型化という社会課題を解決するキーデバイスの根幹を、
　技術で支えることができます。「次世代のインフラ」を社会へ実装する醍醐味を感じられるポジションです。

・世界でも数少ない独自の結晶育成技術に携わる
　高品質・大口径なGaN結晶育成を可能にする独自の「SCAAT法（アモノサーマル法）」は、
　他社にはない当社の強力な武器です。この唯一無二の技術を進化させ、
　世界最高品質の結晶を世に送り出すやりがいがあります。

・「作る技術」をゼロから確立する面白さ
「どうすれば高品質なものを安定して大量に作れるか」という量産の壁に挑むポジションです。
　出来上がったマニュアル通りに動かすのではなく、「どうすればもっと効率よく、高品質に作れるか」を自ら考え、
　量産技術を創り上げていく醍醐味があります。自ら製造条件を調整し、現場を巻き込みながら課題を解決していく、
　あなたのアイデアと経験が、新たな標準プロセスを生み出します。

・幅広い専門性とリーダーシップを発揮する機会
　基礎的な検討から量産化まで、多様な工程・技術に携わる中で、専門性を深めるだけでなく、
　チームを牽引するリーダーシップも磨けます。　　若手育成や国内外の社外委託先との連携を通じて、
　技術とマネジメントの両面でキャリアを加速させることが可能です。

【募集の背景】
当社が手掛ける「窒化ガリウム（GaN）基板」は顧客から極めて高い評価を得られ、実用化フェーズに到達しており事業拡大を加速しています。EV（電気自動車）やデータセンター、通信基地局など、急成長するパワーエレクトロニクス市場からの期待は高く、さらなるシェア拡大に向けた量産化の推進が急務です。この成長フェーズにおいて、中心的役割を担い、当社の技術的優位性をさらに盤石にする仲間を求めています。

【配属部署の紹介】
高速モバイル通信用高周波デバイスなどに欠かせない窒化ガリウム基板の製造及び技術検討に携わり、デジタル社会基盤の構築に貢献できる仕事です。当社はGaN基板の技術を世界的にリードするプレイヤーのひとつで、学会発表や論文も常に注目を浴びています。基礎的な検討から、量産技術検討まで、単結晶を基板に仕上がるまで、多様な工程、技術を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。

【キャリアパス】
本ポジションは、将来の技術リーダー、あるいはマネジメント職へのキャリアパスを想定しています。専門性を極めるだけでなく、チームやプロジェクトを牽引する役割を担い、当社のGaN事業をさらに発展させる中核人材としてご活躍いただけます。

【将来的に従事する可能性のある職務内容】
会社の定める職務

【必須要件】
・下記のいずれかの実務経験（GaNに関する経験は特に歓迎）
　- 半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）の成形加工の技術開発経験
　- 半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）の結晶スライス・研削・研磨加工技術検討経験
　- 半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）の製造管理経験
　- 半導体／電子材料／化合物半導体いずれかの製造プロセス開発・生産技術・工程改善の実務経験
　- 半導体／電子材料／化合物半導体いずれかの微細加工／精密加工プロセスへの関与経験
・下記の能力を保有している方
　- 半導体材料の加工技術の専門知識を有する
　- 製造スタッフとして運転員の管理・指導できる

【歓迎要件】
・ご経験：化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション
・専攻：物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学
・語学力：英語

■雇用形態：
正社員（雇用契約期間の定めなし・三菱ケミカルグループ(株)のグループ各社への在籍出向あり）
雇用会社：三菱ケミカル株式会社
勤務会社：三菱ケミカル株式会社（もしくは出向先グループ会社）

■試用期間：６ヶ月

■給与・賞与
月給：338,000～563,000円
参考年収：5,813,600～9,683,600円
残業20H/月込参考年収：6,483,440～10,799,360円
※等級・グレードによっては時間外管理監督外となるため残業代の支給はございません。

■勤務時間：定時　8:30～17:15

■時間外労働：あり

■公休日：土曜日、日曜日、国民の祝日、年末年始、その他

■休暇：年次有給休暇、特別休暇（忌引、結婚等）、積立年次有給休暇　等

■福利厚生等：通勤費補助制度、退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険　等

■加入保険：健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険　等

■定年制度：65歳（60歳から変更。2022年4月度より）

■その他：社内公募制度、キャリアチャレンジ制度、勤務地継続制度、勤務地希望制度
※勤務地継続制度は管理職のみ

＜将来的に勤務する可能性のある場所＞
会社の定める事業拠点（テレワークを行う場所を含む）

＜受動禁煙防止策について＞
原則、就業場所をとわず、就業時間内全面禁煙